Главная » 2014»Август»20 » Скачать Низкотемпературное создание и преобразование радиационных парамагнитных дефектов в кристаллах КСl и RbCl. Колк, Ю.В. бесплатно
04:19
Скачать Низкотемпературное создание и преобразование радиационных парамагнитных дефектов в кристаллах КСl и RbCl. Колк, Ю.В. бесплатно
Низкотемпературное создание и преобразование радиационных парамагнитных дефектов в кристаллах КСl и RbCl
Диссертация
Автор: Колк, Ю.В.
Название: Низкотемпературное создание и преобразование радиационных парамагнитных дефектов в кристаллах КСl и RbCl
Справка: Колк, Ю.В.. Низкотемпературное создание и преобразование радиационных парамагнитных дефектов в кристаллах КСl и RbCl : диссертация кандидата физико-математических наук : 01.04.07 Тарту, 1984 247 c. : 61 85-1/685
Объем: 247 стр.
Информация: Тарту, 1984
Содержание:
I* ВВЕДЕНИЕ
2 РАДИАВДОННОЕ СОЗДАНИЕ МЕВДОУЗЕЛЬНЫХ АТОМОВ ГАЛОИДА В ЩГК (обзор литературы)
21 Френкелевские дефекты и экситоны в облученных ЩГК
22 Распад электронных возбуждений с рождением френкелевских дефектов в ЩГК
23 Парамагнитные Н-центры в К
231, ЭПР-спектр и оптические переходы Clg в К
232, ЭПР-спектр и структура Н-центров в KG
233, Захваченные примесями парамагнитные Н-центры в KG
24 Некоторые нерешенные проблемы и задачи настоящего исследования
3 МЕТОДИКА И ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
31, Методика низкотемпературного исследования пара1»!агнитных радиационных дефектов
311 О применении метода ЭПР для регистрации Н- и Vg- центров в ЩГК
312 О низкотемпературном Х-облучении кристаллов при ЭПР-измерениях
313 Установка для ЭПР исследований облученных кристаллов
33, Объекты исследования
32, Методика исследования оптических характеристик НИЗКОТШПЕРАТУРНОЕ СОЗДАНИЕ И ПРЕОБРАЗОВАНИЕ РАДЩИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КС
41 Создание и отжиг Н- и "-центров в КС
411 ЭПР-спектры кристалла KG1 после Х-облучения при К
412 Накопление Н- и "Уг-центров в ходе облучения при К
413 Отжиг H-,Vg-- и ОС-центров в КС
414 Влияние F-подсветки на число и отжиг Н- и Уцентров
415 Влияние подсветки фотонами 3-f4 эВ на Н- и Vgi-центры и их отжиг
42 Влияние вторичных процессов на низкотемпературное радиационное дефектообразование в KG
421 Взаимодействие электронов и дйрок с дефектами во время Х-облучения
423 Индуцированные Х-облучением вторичные процессы в КС
431 Отжиг 1-центров в К
43 Миграция интерстициалов в К01 при Т К
432 Миграция Н-центров в К01 5, НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ СОЗДАНИЕ, ПРЕОБРАЗОВАНИЕ И ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КС1-НЪ
51 ЭПР-спектр кристалла К01-ЕЪ после Х-облучения при К
52 Отжиг Н- и Т-центров в К01-ЕЪ
53 НдСнь*)- центры в ЕС1-ЕЪ
422 FjIjVg- тройки в КС1 4, О влиянии ионов НЪ на процессы создания, преобразования и отжига френкелевских дефектов в ЕС1 ICRb"*")- центры
55 О ловушках Н-центров в KGl
6 НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ СОЗДАНИЕ И ПРЕОБРАЗОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ В ЕЪ
61 Спектры ЭПР ЕЪС
62, ЭПР-сигная и структура Н- центров в ЕЪ
63 Создание и отжиг интерстициалов в НЪ
7 СОЗДАНИЕ F,H ПАР В KOl-Ag И К01-Ш1 ДЫРКАМИ ПРИ РЕКОМБИНАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ С АВТОЛОКАЛИЗОВАННЬШ ,#*«,««*,173 173 71, Электронно-дырочный рекомбинационный механизм создания дефектов Френкеля
72 Рождение стабильных F,Hnap при рекомбинации электронов с Vg-центрами в KOl-Ag ,15 7,3» Рождение F,H-nap при рекомбинации электронов с Vg-центрами в К01-а}1 ,
74, Электронно-дырочный и экситонный механизмы созданияF,H- пар в К01 ЕС1-Ш1 и KOl-As
8 РАСПАД ОКОЛОПРИМЕСННК ЭЛЕКТРОННЫХ ВОЗБУВДЕНИЙ С РОВДЕНИЕМ ДЕФЕКТОВ В KOl-JTl F,H-nap и оСД-пар
81, Экспериментальное изучение рождения BKOI-TI
82 О роли локальных колебаний при распаде электронных возбуждений с рождением дефектов ,,,
9 ЗАКЛШЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
Введение:
В в е д е н и е Развитие ядерной энергетики, вычислительной техники, твердотельной электроники и других захвата Н-центров дефектами решетки и процессы рекомбинации Нцентров с F-центрами [31-40] Для кристаллов RbOl впервые методом ЭПР обнаружены Н-центры, струкчура которых отличается от известных ранее Н-центров в LiP, KOI и КВг, Комплексными ЭПР и оптическими исследованиями кристаллов KOl-Rbобнаружен захват Н-центров примесными ионами НЪ"*", радиус которых больше радиуса ионов К* и изучены оптические и парамагнитные свойства НдСнъ*)-центров« На основании полученной информации о процессах создания, прыжковой миграции и рекомбинации Н-центров в чистых и легированных кристаллах К01 рассмотрены механизмы процессов радиационного повреждения ЩГК и сделан вывод о важной роли локальных колебаний в процессах атермического безызлучательного распада электронных возбуждений с рождением стабильных френкелевских дефектов [ЗЗ] Основными результатами настоящей работы являются следующие, выносимые на защиту положения: 1, Облучение кристаллов КС1 и Е Ъ О 1 рентгеновской радиацией при гелиевых температурах приводит не только к созданию пар анионных френкелевских дефектов (F,H- и <,1-пар), но и к рождению троек дефектов p,i,v„, возникающих при захвате электронов Нцентрами и автолокализации дырок. Отжиг троек при прыжковой миграции междоузельных ионов галоида и их рекомбинации с Рцентрами и автолокализованными дырками обуславливает появление электронов и увеличение числа Н-центров. 2, Впервые для об;огченных кристаллов ЕЪ01 методом ЭПР обнаружены и исследованы междоузельные атомы галоида, представляющие собой ориентированные по молекулы Gig в одиночных анионных узлах без заметного взаимодействия с двумя соседними ионами хлора. Для кристаллов КС1*Ъ обнаружен захват Н-центров ионами НЪ"*" с образованием НДСЕЪ)-центров, имеющих термическую стабильность до 60-70 К, 3. Для кристаллов К01-Ф1 при облучении фотонами 7,2-!-7,б эВ обнаружен распад на анионные френкелевские дефекты (F,H- и оС 1 пары) околоталлиевых электронных возбуждений молекулярного типа, для которых существуют локальные колебания. Распад таллиевых электронных возбуждений ионного типа (5*7 эВ) без локальных колебаний не ведет к рождению френкелевских дефектов. Рассмотрена роль локальных колебаний при распаде электронных возбузкдений на стабильные френкелевские пары, 4. Для облученных кристаллов К01-а}1 и KOl-Ag выделен и исследован малоэффективный (о,1-о,5) элементарный механизм рождения стабильных нейтральных френкелевских дефектов (F,H-nap) при фотостимулированной рекомбинации электронов с автолокализованными дырками, наблюдающийся на фоне более эффективного процесса создания Н-центров при фоторазрушении Н,Н-пар и околопримесных Нд-центров. План изложения материала в диссертации следует из оглавления. Наши основные результаты опубликованы в [31-40] доложены и обсуждены на следующих конференциях, совещаниях и семинарах: Всесоюзное совещание по радиационной физике твердых тел, Звенигород, I98I; 1У Всесоюзный симпозиум "Люминесцентные приемники и преобразователи рентгеновского излучения", Иркутск, 1982; У Всесоюзное Совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов, Рига, 1983; 1]ибалтийские симинары по физике ионных кристаллов (Эзерниеки, 1982, Лохусалу, 1982, Лиелупе, 1983)» II- Полученным нами результаты могут быть использованы при разработке общей теории радиационного дефектообразования в твердых телах» Исследование радиационного дефектообразования в 1ЦГК представляет не только общефизический, но и конкретный прикладной интерес в связи с разработкой новых сред для записи и изображения информации, в связи с новыми перестраиваемыми твердотельными лазерами на центрах окраски, а также в связи с разработкой более радиационностойких материалов»
